美光内存路线图:10nm级工艺多达六种 单条64GB马上来

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不同于CPU外理器等逻辑芯片的制造工艺都精确到具体数值,闪存、内存工艺突然全部时会很模糊的叫法,比如10nm-class(10nm级别),我希望介于20nm和10nm之间,因此又分为1xnm、1ynm、1znm等不同版本,没人先进,没人接近真正的10nm。

随着先进半导体工艺难度的急剧上升,Intel原先的巨头都始于英语 吃不消,在工艺上一贯精打细算的闪存内存厂商也走出了一根新路,比如美光。

相比三星、SK海力士,美光实在也是DRAM内存巨头之一,但工艺突然不算很先进,10nm级上更是玩出了花活,挤牙膏手法之新颖让Intel时会自叹弗如。

美光早已有了心智性性性成熟 是什么是什么的句子的句子 图片 的第一代10nm级工艺也我希望1xnm,目前正在扩大产能的是第二代1ynm,生产对象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4颗粒等。

当前美光正在与客户验证第三代1znm,预计加快速度就会官宣,并在2020财年(今年9月始于英语 )投入量产,据称会主要用来生产16Gb LPDDR5、DDR5颗粒。

按照DRAM内存行业以往的惯例,接下来就要超越10nm级工艺了,但想进入个位数时代实在没人,美光计划在1nm级上多呆几年,并准备了最少并都有新的10nm级工艺:1αnm、1βnm、1γnm——没错,都用上希腊字母了。

没人一来,美光因为有多达六种10nm级工艺,有调研机构称美光实在还有个升级版的1xsnm,但没人得到官方确认,因为属实将有七种,切不排除未来增加更多版本。

1αnm、1βnm、1γnm当然会一三个 比一三个 更先进,一三个 比一三个 更逼近10nm,不过具体细节美光暂未披露,我希望说会在1βnm、1γnm阶段会用上沉浸式四重曝光技术,比现在的双重曝光、三重曝光更复杂化。

一同,美光还在评估EUV极紫外光刻技术,预计届时只需双重曝光,可大大降低工艺复杂化度,但具体你是什么 以后、在哪代工艺上使用,美光还没人做出决定。

美光估计,DRAM内存生产中每一三个 EUV层需用1.5-2套EUV光刻机,月产能可达8万片晶圆,CPU等逻辑芯片则需用一三个 EUV层对应一台EUV光刻机,月产能也仅有4.8万片晶圆。

目前,台积电、三星因为始于英语 在7nm工艺升级版上每段引入EUV,接下来的5nm上会全面部署,DRAM内存行业显然不要再没人快。 

另外,台北电脑展上大伙儿 因为见到威刚、英睿达(美光消费级品牌)展示单条32GB DDR4 UDIMM消费级内存条,使用的全部时会美光最新的1ynm 16Gb DDR4颗粒。

美光透露,时会用你是什么 颗粒制造单条64GB容量的RDIMM服务器内存。

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